江蘇省重點研發(fā)計劃面向國家重大戰(zhàn)略需要，聚焦集成電路、新材料、先進制造等重點領(lǐng)域，集中力量開展關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)和重要標準研發(fā)，加快推進核心技術(shù)自主化。以提升高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新力、影響力為主線，加強關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，推動第三代半導(dǎo)體、未來網(wǎng)絡(luò)通信等十大高新技術(shù)新興產(chǎn)業(yè)成為構(gòu)筑現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系的新支柱。

　　“氮化鎵微波毫米波無線能量轉(zhuǎn)換芯片關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)”由江南大學(xué)物聯(lián)網(wǎng)工程學(xué)院敖金平教授團隊牽頭組織，聯(lián)合蘇州實驗室、蘇州納維科技有限公司、中國電子科技集團公司第五十五研究所、無錫華潤安盛科技有限公司、南京大學(xué)、江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司共同參與，擬在氮化鎵基微波毫米波無線能量轉(zhuǎn)換芯片相關(guān)方面取得突破性進展，并打通從實驗室到產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，實現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)從“實驗室”走向“生產(chǎn)線”。

　　高性能的微波-直流轉(zhuǎn)換是實現(xiàn)中遠距離無線能量傳輸?shù)年P(guān)鍵，然而，當前基于硅的轉(zhuǎn)換芯片普遍存在效率低，功率容量不足等缺點。氮化鎵材料因其出色的電學(xué)特性被認為是實現(xiàn)高性能微波-直流轉(zhuǎn)換芯片的最佳材料之一。“該項目就是要依托各單位特色優(yōu)勢，在自支撐氮化鎵材料襯底上研發(fā)出高性能、低成本的微波-直流轉(zhuǎn)換芯片。”敖金平說，“通過探索新型半導(dǎo)體工藝、先進封測技術(shù)來提高芯片穩(wěn)定性、可靠性，我們有信心整體性能達到國際前沿水平。”

　　目前，江南大學(xué)建有寬帶隙/超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件實驗室，擁有千級材料生長和器件工藝超凈間，多臺器件制備用的光刻機、等離子體刻蝕機、磁控濺射臺、快速熱退火系統(tǒng)等工藝設(shè)備，具有完整的材料生長、器件制備及測試評價能力。敖金平教授團隊有近二十年的 GaN 器件及電路研究經(jīng)歷，先后牽頭完成了國家重大專項、國家自然科學(xué)基金重大/重點項目等多項 GaN 基電子器件相關(guān)的國家重點科研項目；在行業(yè)知名期刊上發(fā)表相關(guān) SCI 論文 500 篇以上，申請發(fā)明專利 50 件以上。團隊研發(fā)了多款氮化鎵微波整流芯片，其微波-直流轉(zhuǎn)換效率達到90%以上，業(yè)內(nèi)領(lǐng)先。