用四探針測(cè)量電阻率，可以避免電極接觸電阻對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響，因此在國(guó)內(nèi)外早已被廣泛用來(lái)測(cè)量金屬、半導(dǎo)體、導(dǎo)電高分子材料的電阻率。另外本儀器還在四探針樣品臺(tái)兩側(cè)加上亥姆霍茲線圈，用其提供一個(gè)可調(diào)磁場(chǎng)，用來(lái)測(cè)量磁性金屬薄膜的磁電阻率。
用途：
（1） 金屬、半導(dǎo)體、導(dǎo)電高分子薄膜（塊體）電阻率的測(cè)量；
（2） 金屬薄膜材料電阻率的測(cè)量（最大厚度0.2毫米）；金屬材料電阻率的測(cè)量（最大厚度6毫米）
（3） 磁性合金薄膜的磁電阻測(cè)量；
（4） 鐵磁/非磁性/鐵磁三層或多層薄膜的磁電阻測(cè)量；
（5） 自旋閥型巨磁電阻薄膜、隧道結(jié)型巨磁薄膜的磁電阻測(cè)量。
儀器組成：
1、 亥姆霍茲線圈
由亥姆霍茲線圈提供磁場(chǎng)，線圈可在360度范圍內(nèi)繞樣品旋轉(zhuǎn)；
四探針組件是由具有引線的四根探針組成。
2、 SB118精密直流電流源
輸出電流在10-6~0.2安培范圍內(nèi)可調(diào)
3、 直流數(shù)字電壓表
具有6位半字長(zhǎng)、0.1微伏電壓分辨率的帶單片微機(jī)處理技術(shù)的高精度電子測(cè)量?jī)x器。
4、 直流磁場(chǎng)電源
輸出電流在0~10安培