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1µm柵極氧化固態(tài)劑量計(jì)
瀏覽: 87
單價(jià): 面議
最小起訂量:
供貨總量:
發(fā)貨期限: 自買家付款之日起 天內(nèi)發(fā)貨
有效期至: 長(zhǎng)期有效
最后更新: 1970-01-01 08:00
 
詳細(xì)信息
1µm柵極氧化固態(tài)劑量計(jì)
技術(shù)要求
典型數(shù)值在27°C
氧化層厚度10000A
輻射Vth靈敏度
輻射場(chǎng)= 0.05 MV/cm : 靈敏度= 2.4mV/rad 
輻射場(chǎng)= 0 MV/cm : 靈敏度= 0.8mV/rad 
(靈敏度在 1.5 krad(H2O),在以下讀寫器的配置中使用一個(gè)恒量10µA) 
溫度補(bǔ)償 
TVTC 15mV/°C
(該數(shù)據(jù)出自溫度27°C-100°C線性模式中的外推Vtp數(shù)值.) 
線性模式中Z.T.C. 數(shù)值~ -5µA
(Vs=Vb=0, Vds=-0.1) 
飽和模式中Z.T.C.數(shù)值~ -30µA
(使用以下讀寫器電路配置) 
預(yù)輻射劑量計(jì)的特點(diǎn)
閾值電壓(外推) -17.2 +/- 0.4V
Vth漂移時(shí)間(秒) 4mV
(該數(shù)據(jù)出自讀寫器配置強(qiáng)迫40µA,兩個(gè)中有一個(gè)因子會(huì)增大) 
氧化層擊穿電壓>400V 
溝道漏電流Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 20 pA 
亞閾值斜率-500 mV/decade 
溝道電阻Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 1.95 Mohms 
北京華恒鑫達(dá)公司還提供深水高純鍺譜儀、蓄水池全自動(dòng)水樣核素活度監(jiān)測(cè)系統(tǒng)、同軸高純鍺探測(cè)器GCD系列(液氮致冷)、平面型高純鍺探測(cè)器GPD系列(液氮致冷)、便攜式高純鍺γ射線譜儀、手持式高純鍺探測(cè)器、自帶鉛室高純鍺譜儀、液體和氣體流量核素分析的屏蔽高純鍺譜儀、移動(dòng)式高純鍺譜儀(現(xiàn)場(chǎng)使用)、X γ射線高純鍺譜儀(電致冷)、流動(dòng)式高純鍺譜儀、CdZn TeCdTe探測(cè)器和相關(guān)電子附件等相關(guān)產(chǎn)品。

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