型號：W-357HP槽式兆聲波清洗
振蕩方式：用晶體管電路產生自激振蕩
最大功率：600W
振蕩頻率：1MHz
振蕩器電源：AC200V、220V/6A
振蕩器外形尺寸(mm)W×D×H：360×400×128
使用液溫范圍：20～50℃

硅片清洗中的超聲波與兆聲波技術 
CCID微電子研究部 
超聲波清洗技術： 
超聲波清洗是半導體工業(yè)中廣泛應用的一種清洗方法,該方法的優(yōu)點是:清洗效果好,操作簡單,對于復雜的器件和容器也能清除,但該法也具有噪音較大、換能器易壞的缺點。 
該法的清理原理如下：在強烈的超聲波作用下(常用的超聲波頻率為20kHz到40kHz左右),液體介質內部會產生疏部和密部,疏部產生近乎真空的空腔泡,當空腔泡消失的瞬間,
其附近便 產生強大的局部壓力,使分子內的化學鍵斷裂，因此使硅片表面的雜質解吸。當超聲波的頻率和空腔泡的振動頻率共振時，機械作用力達到最大，泡內積聚的大量熱 
能，使溫度升高，促進了化學反應的發(fā)生。 
超聲波清洗的效果與超聲條件（如溫度、壓力、超聲頻率、功率等）有關，而且提高超聲波功率往往有利于清洗效果的提高，但對于小于1μm的顆粒的去除效果并不太好。該
法多用于清除硅片表面附著的大塊污染和顆粒。 
兆聲波清洗技術： 
兆聲波清洗不但保存了超聲波清洗的優(yōu)點，而且克服了它的不足。兆聲波清洗機的機理是由高能(850kHz)頻振效應并結合化學清洗劑的化學反應對硅片進行清洗的。在清洗時，
由換能器發(fā)出波長為1μm頻率為0.8兆赫的高能聲波。溶液分子在這種聲波的推動下作加速運動，最大瞬時速度可達到30cm/s。因此，形成不了超聲波清洗那樣的氣泡,而只
能以高速的流體波連續(xù)沖擊晶片表面,使硅片表面附著的污染物的細小微粒被強制除去并進入到清洗液中。 
兆聲波清洗拋光片可去掉晶片表面上小于0.2μm的粒子,起到超聲波起不到的作用。這種方法能同時起到機械擦片和化學清洗兩種方法的作用。目前兆聲波清洗方法已成為拋
光片清洗的一種有效方法。    

以下摘自本多清洗機選型樣本：
W-357系列（兆聲清洗）

超聲波超精密清洗

利用被超聲波加速的水分子進行清洗 高頻清洗
自于加速度的超聲波清洗是指被加速的水分子遇到工作，依靠水分子的沖擊力使臟物從工件上剝離。頻率越高效果越好，特別是對于附著力弱非常微小的臟物。加速度跟頻率的2次方成比例，因而頻率越高，波長越短，越適合于清洗微小的臟物。

關于脈沖噴射(pulse-jet)清洗機（W-357系列）
隨著半導體的集成度的提高，在硅晶片的清洗工序里，除掉亞微米臟物成了提高成品率的重要因素。利用高頻超聲波進行純水的精密清洗能夠符合這個要求。屬于高頻清洗的脈沖噴射清洗是在流水里加入了超聲波，，最適合于清洗晶片，液晶玻璃等。

硅晶片及液晶玻璃的超聲波清洗
對于硅晶片及液晶玻璃的超聲波清洗，需要滿足下面的條件。
1.不會損傷硅晶片
2.除掉亞微米臟物
3.不會發(fā)生臟物的再附著
因此，利用不會發(fā)生空化，但會產生高強度聲壓的高頻超聲波，而且不會發(fā)生臟物的再附著的流水式清洗是最適合的。

清洗除掉微粒子
由于在流水里加上兆赫的高頻超聲波，被加速的水粒子能清洗除掉亞微米的粒子。
因為采用高頻超聲波，不用擔心對硅晶片的損傷。
適合于半導體CMP研磨后，硬盤，硅晶片，砷化稼鏡面拋光后，光盤原盤研磨后，成膜前的清洗等。

流水式的清凈清洗
流水式＝清洗液一直都是清凈的。不用擔心液體中的臟物的再附著。 容易組裝于生產線
適合于清洗片狀工件，容易組裝于生產線。

可調整輸出功率
由于可調整輸出功率，象磁頭那樣容易破裂的工件也可放心地進行清洗。